金属硅（1提纯）→高纯多晶硅—（2掺杂铸造或拉晶）→多晶硅锭/锭—（3切片）→硅片—（4制绒、扩散、印刷）→电池片—（5层压、封装）→电池组件—（6配套连接、安装）→光伏发电系统。

其中，提纯的环节是技术难度的环节。有冶金法和化学法两种方式。

后段工序对设备要求较高

硅料包含单晶硅和多晶硅等，单晶硅有;单晶边皮、头尾、棒、锅底料等，多晶硅有：原生多晶硅、多晶边皮、多晶方锭等。昆山伍征专业回收各种硅料。

单晶硅的提炼：纯度不高的单质硅可用金属镁或铝还原二氧化硅制得，但这是无定形硅。晶形硅则要在电弧炉内用碳还原二氧化硅制得，它可用来生产硅钢片。用作半导体的超纯硅的制法则是先用纯度不高的硅与氯化氢和氯气的混合物作用，制取三氯氢硅，并用精馏法提纯。然后在还原炉内用纯氢将三氯氢硅还原，硅就沉积在用超纯硅制成的细芯上，这样制得的超纯硅称为多晶硅，把它放在单晶炉内，就可拉制成单晶硅，可用作半导体材料，它的来源丰富，价格便宜，大部分半导体材料都用硅

目前硅片的生产已经采用多线锯切割方法，可以生产出面积较大（25cm×25 cm）而厚度又相对较薄的硅片，但是在此方法的操作过程中，金属丝要受到多种力的激励，还要受到机械结构的影响，就不可避免的在切割过程中产生变形与振动，瞬间性的冲击就会作用在切割的硅片上。为了避免此现象的发生硅片的切割厚度也从300μm左右进一步降低，争取实现低成本高线切割及减少切缝损耗，但是难度是相当的大。因此实现太阳能晶硅电池行业生产效率的提高及生产成本的降低，对于开展寸超薄硅片切割方法的开拓与创新研究是势在必行的。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。